SCT2H12NZGC11

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Rohm Semiconductor

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

3.7A (Tc)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

1.5 Ohm @ 1.1A, 18V

Vgs（th）（最大）@Id :

4V @ 900µA

Vgs（最大值） :

+22V, -6V

供应商设备包 :

TO-3PFM

功耗（最大） :

35W (Tc)

包装/箱 :

TO-3PFM, SC-93-3

包装材料 :

Tube

安装类型 :

Through Hole

工作温度 :

175°C (TJ)

技术 :

SiCFET (Silicon Carbide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

14nC @ 18V

漏极-源极电压（Vdss） :

1700V

系列 :

-

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

184pF @ 800V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

18V