SCT2H12NYTB

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Rohm Semiconductor

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

4A (Tc)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

1.5 Ohm @ 1.1A, 18V

Vgs（th）（最大）@Id :

4V @ 410µA

Vgs（最大值） :

+22V, -6V

供应商设备包 :

TO-268

功耗（最大） :

44W (Tc)

包装/箱 :

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

包装材料 :

Digi-Reel®

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

175°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

14nC @ 18V

漏极-源极电压（Vdss） :

1700V

系列 :

-

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

184pF @ 800V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

18V