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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRF7604TRPBF
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RFQ
2,168
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8 HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Micro8™ 1.8W (Ta) P-Channel 20V 3.6A (Ta) 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V 700mV @ 250µA 20nC @ 4.5V 590pF @ 15V 2.7V, 4.5V ±12V
IRF7604TR
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RFQ
3,220
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8 HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Micro8™ 1.8W (Ta) P-Channel 20V 3.6A (Ta) 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V 700mV @ 250µA 20nC @ 4.5V 590pF @ 15V 2.7V, 4.5V ±12V
SI8401DB-T1-E1
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RFQ
1,607
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA, CSPBGA 4-Microfoot 1.47W (Ta) P-Channel 20V 3.6A (Ta) 65 mOhm @ 1A, 4.5V 1.4V @ 250µA 17nC @ 4.5V - 2.5V, 4.5V ±12V
SI3443BDV-T1-E3
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RFQ
3,592
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 6-TSOP 1.1W (Ta) P-Channel 20V 3.6A (Ta) 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V 1.4V @ 250µA 9nC @ 4.5V - 2.5V, 4.5V ±12V
SSM6J214FE(TE85L,F
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RFQ
2,882
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Toshiba Semiconductor and Storage X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH U-MOSVI Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C Surface Mount SOT-563, SOT-666 ES6 500mW (Ta) P-Channel 30V 3.6A (Ta) 50 mOhm @ 3A, 10V 1.2V @ 1mA 7.9nC @ 4.5V 560pF @ 15V 1.8V, 10V ±12V
PMV50XPR
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RFQ
2,039
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Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 20V SOT23 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236AB (SOT23) 490mW (Ta), 4.63W (Tc) P-Channel 20V 3.6A (Ta) 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V 900mV @ 250µA 12nC @ 4.5V 744pF @ 20V 1.5V, 4.5V ±12V
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