SSM6J214FE(TE85L,F

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Toshiba Semiconductor and Storage

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

3.6A (Ta)

FET型 :

P-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

50 mOhm @ 3A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

1.2V @ 1mA

Vgs（最大值） :

±12V

供应商设备包 :

ES6

功耗（最大） :

500mW (Ta)

包装/箱 :

SOT-563, SOT-666

包装材料 :

Digi-Reel®

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

150°C

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

7.9nC @ 4.5V

漏极-源极电压（Vdss） :

30V

系列 :

U-MOSVI

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

560pF @ 15V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

1.8V, 10V