- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,312
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC | HEXFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | P-Channel | - | 30V | 11A (Ta) | 13.5 mOhm @ 11A, 10V | 2.5V @ 250µA | 110nC @ 10V | 4030pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,764
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | P-Channel | - | 30V | 11A (Ta) | 13.5 mOhm @ 11A, 10V | 2.5V @ 250µA | 110nC @ 10V | 4030pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,633
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | P-Channel | - | 40V | 10.5A (Ta) | 15 mOhm @ 10.5A, 10V | 3V @ 250µA | 110nC @ 10V | 9250pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,662
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 18A (Tc) | 9.4 mOhm @ 15A, 10V | 2.5V @ 250µA | 110nC @ 10V | 4280pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V |