晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	IRF7424GTRPBF		获得报价	PDF RFQ	1,312 有现货	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC	HEXFET®	Obsolete	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO	2.5W (Ta)	P-Channel	-	30V	11A (Ta)	13.5 mOhm @ 11A, 10V	2.5V @ 250µA	110nC @ 10V	4030pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V
	FQB34P10TM		获得报价	PDF RFQ	1,161 有现货	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK	QFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263AB)	3.75W (Ta), 155W (Tc)	P-Channel	-	100V	33.5A (Tc)	60 mOhm @ 16.75A, 10V	4V @ 250µA	110nC @ 10V	2910pF @ 25V	10V	±25V
	IRF7424TRPBF		获得报价	PDF RFQ	3,764 有现货	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO	2.5W (Ta)	P-Channel	-	30V	11A (Ta)	13.5 mOhm @ 11A, 10V	2.5V @ 250µA	110nC @ 10V	4030pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V
	FQB47P06TM-AM002		获得报价	PDF RFQ	1,767 有现货	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK	QFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263AB)	3.75W (Ta), 160W (Tc)	P-Channel	-	60V	47A (Tc)	26 mOhm @ 23.5A, 10V	4V @ 250µA	110nC @ 10V	3600pF @ 25V	10V	±25V
	FQB34P10TM-F085		获得报价	PDF RFQ	3,665 有现货	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK	Automotive, AEC-Q101, QFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263AB)	3.75W (Ta), 155W (Tc)	P-Channel	-	100V	33.5A (Tc)	60 mOhm @ 16.75A, 10V	4V @ 250µA	110nC @ 10V	2910pF @ 25V	10V	±25V
	IRF7240TRPBF		获得报价	PDF RFQ	2,633 有现货	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO	2.5W (Ta)	P-Channel	-	40V	10.5A (Ta)	15 mOhm @ 10.5A, 10V	3V @ 250µA	110nC @ 10V	9250pF @ 25V	4.5V, 10V	±20V
	IRF9540NSTRRPBF		获得报价	PDF RFQ	1,563 有现货	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK	HEXFET®	Discontinued at Digi-Key	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	3.1W (Ta), 110W (Tc)	P-Channel	-	100V	23A (Tc)	117 mOhm @ 14A, 10V	4V @ 250µA	110nC @ 10V	1450pF @ 25V	10V	±20V
	SI8425DB-T1-E1		获得报价	PDF RFQ	3,498 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V MICROFOOT	TrenchFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	4-UFBGA, WLCSP	4-WLCSP (1.6x1.6)	1.1W (Ta), 2.7W (Tc)	P-Channel	-	20V	-	23 mOhm @ 2A, 4.5V	900mV @ 250µA	110nC @ 10V	2800pF @ 10V	1.8V, 4.5V	±10V
	IRF9540NSTRLPBF		获得报价	PDF RFQ	1,169 有现货	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	3.1W (Ta), 110W (Tc)	P-Channel	-	100V	23A (Tc)	117 mOhm @ 14A, 10V	4V @ 250µA	110nC @ 10V	1450pF @ 25V	10V	±20V
	SIS413DN-T1-GE3		获得报价	PDF RFQ	1,662 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8	TrenchFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8	3.7W (Ta), 52W (Tc)	P-Channel	-	30V	18A (Tc)	9.4 mOhm @ 15A, 10V	2.5V @ 250µA	110nC @ 10V	4280pF @ 15V	4.5V, 10V	±20V
	IRF6218STRLPBF		获得报价	PDF RFQ	3,138 有现货	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK	HEXFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	250W (Tc)	P-Channel	-	150V	27A (Tc)	150 mOhm @ 16A, 10V	5V @ 250µA	110nC @ 10V	2210pF @ 25V	10V	±20V

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