- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,785
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH POWERDI5060-8 | Automotive, AEC-Q101 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PowerDI5060-8 | 2.6W (Ta), 150W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 20.9A (Ta), 100A (Tc) | 3.7 mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 49.1nC @ 10V | 3062pF @ 20V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,441
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PowerDI5060-8 | 2.6W (Ta), 150W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 20.9A (Ta), 100A (Tc) | 3.7 mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 49.1nC @ 10V | 3062pF @ 20V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,304
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 100A 8QFN | PowerTrench® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 8-PQFN (5x6) | 830mW (Ta), 104.2W (Tc) | N-Channel | - | 75V | 100A (Tc) | 3.7 mOhm @ 50A, 10V | 4.5V @ 250µA | 100nC @ 10V | 5915pF @ 37.5V | 10V | ±20V |