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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
BSC037N08NS5ATMA1
单位
$2.41
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RFQ
1,377
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 2.5W (Ta), 114W (Tc) N-Channel - 80V 100A (Tc) 3.7 mOhm @ 50A, 10V 3.8V @ 72µA 58nC @ 10V 4200pF @ 40V 6V, 10V ±20V
DMTH4005SPSQ-13
单位
$1.34
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RFQ
2,785
有现货
Diodes Incorporated MOSFET N-CH POWERDI5060-8 Automotive, AEC-Q101 Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PowerDI5060-8 2.6W (Ta), 150W (Tc) N-Channel - 40V 20.9A (Ta), 100A (Tc) 3.7 mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 49.1nC @ 10V 3062pF @ 20V 10V ±20V
DMTH4005SPS-13
单位
$1.11
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RFQ
2,441
有现货
Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PowerDI5060-8 2.6W (Ta), 150W (Tc) N-Channel - 40V 20.9A (Ta), 100A (Tc) 3.7 mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 49.1nC @ 10V 3062pF @ 20V 10V ±20V
NVD5890NLT4G-VF01
单位
$1.71
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RFQ
1,225
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 123A DPAK - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 4W (Ta), 107W (Tc) N-Channel - 40V 24A (Ta), 123A (Tc) 3.7 mOhm @ 50A, 10V 2.5V @ 250µA 42nC @ 4.5V 4760pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
FDMS037N08B
单位
$2.47
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RFQ
3,304
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 75V 100A 8QFN PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (5x6) 830mW (Ta), 104.2W (Tc) N-Channel - 75V 100A (Tc) 3.7 mOhm @ 50A, 10V 4.5V @ 250µA 100nC @ 10V 5915pF @ 37.5V 10V ±20V
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