晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

已选择过滤 :

5 产品

图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	IRFR2605		获得报价	PDF RFQ	893 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 19A D-PAK	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	D-Pak	50W (Tc)	N-Channel	-	55V	19A (Tc)	85 mOhm @ 11A, 10V	4V @ 250µA	23nC @ 10V	420pF @ 25V	10V	±20V
	IRFM460		获得报价	PDF RFQ	1,331 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 500V 19A TO-254AA	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-	Through Hole	TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	TO-254AA	250W (Tc)	N-Channel	-	500V	19A (Tc)	270 mOhm @ 12A, 10V	4V @ 250µA	190nC @ 10V	4300pF @ 25V	10V	±20V
	AUIRFS6535TRL	单位 $1.61	获得报价	PDF RFQ	2,726 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N CH 300V 19A D2PAK	HEXFET®	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	210W (Tc)	N-Channel	-	300V	19A (Tc)	185 mOhm @ 11A, 10V	5V @ 150µA	57nC @ 10V	2340pF @ 25V	10V	±20V
	AUIRFS6535	单位 $1.38	获得报价	PDF RFQ	1,286 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N CH 300V 19A D2PAK	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	210W (Tc)	N-Channel	-	300V	19A (Tc)	185 mOhm @ 11A, 10V	5V @ 150µA	57nC @ 10V	2340pF @ 25V	10V	±20V
	IRFI4229PBF	单位 $3.42	获得报价	PDF RFQ	1,098 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-40°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	46W (Tc)	N-Channel	-	250V	19A (Tc)	46 mOhm @ 11A, 10V	5V @ 250µA	110nC @ 10V	4480pF @ 25V	10V	±30V

1 / 1 页

上一页下一页

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

商城介绍

联系我们关于我们

新手指南

注册协议发票须知

支付说明

售后服务

售后方案运费方案

全球服务热线

0755-83466209工作时间：9:00~18:00（周一至周六）

售前客服

©深圳市恒森鑫电子有限公司粤ICP备2022113175号-1