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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPD78CN10NGATMA1
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RFQ
1,193
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 31W (Tc) N-Channel - 100V 13A (Tc) 78 mOhm @ 13A, 10V 4V @ 12µA 11nC @ 10V 716pF @ 50V 10V ±20V
IPD78CN10NGBUMA1
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RFQ
1,294
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3 OptiMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 31W (Tc) N-Channel - 100V 13A (Tc) 78 mOhm @ 13A, 10V 4V @ 12µA 11nC @ 10V 716pF @ 50V 10V ±20V
FDMS86105
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RFQ
2,326
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V POWER56 PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (5x6) 2.5W (Ta), 48W (Tc) N-Channel - 100V 6A (Ta), 26A (Tc) 34 mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 11nC @ 10V 645pF @ 50V 6V, 10V ±20V
SI4102DY-T1-GE3
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RFQ
2,066
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) N-Channel - 100V 3.8A (Tc) 158 mOhm @ 2.7A, 10V 4V @ 250µA 11nC @ 10V 370pF @ 50V 6V, 10V ±20V
TPN3300ANH,LQ
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RFQ
2,511
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON U-MOSVIII-H Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-TSON Advance (3.3x3.3) 700mW (Ta), 27W (Tc) N-Channel - 100V 9.4A (Tc) 33 mOhm @ 4.7A, 10V 4V @ 100µA 11nC @ 10V 880pF @ 50V 10V ±20V
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