- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
678
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3-313 | 94W (Tc) | N-Channel | 100V | 60A (Tc) | 12 mOhm @ 60A, 10V | 2.1V @ 46µA | 49nC @ 10V | 3170pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
2,539
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 5W (Ta), 62.5W (Tc) | N-Channel | 100V | 40A (Tc) | 10.8 mOhm @ 20A, 10V | 2.8V @ 250µA | 49nC @ 10V | 1630pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
661
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 55A DPAK | U-MOSVIII-H | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK+ | 157W (Tc) | N-Channel | 100V | 55A (Ta) | 6.5 mOhm @ 27.5A, 10V | 4V @ 500µA | 49nC @ 10V | 3280pF @ 10V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,004
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 148W (Tc) | N-Channel | 100V | 57A (Tj) | 16 mOhm @ 15A, 10V | 4V @ 1mA | 49nC @ 10V | 2404pF @ 50V | 10V | ±20V |