- 供应商设备包 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,315
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML | - | Obsolete | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220ML | 2W (Ta), 30W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 18A (Ta) | 75.5 mOhm @ 9A, 10V | - | 74nC @ 10V | 4200pF @ 20V | 4V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,947
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON | U-MOSV | Discontinued at Digi-Key | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 8-TSON Advance (3.3x3.3) | 700mW (Ta), 27W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 18A (Ta) | 12 mOhm @ 9A, 10V | 2V @ 1mA | 38nC @ 10V | 1600pF @ 10V | 4V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,207
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON | U-MOSV | Discontinued at Digi-Key | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 8-TSON Advance (3.3x3.3) | 700mW (Ta), 27W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 18A (Ta) | 12 mOhm @ 9A, 10V | 2V @ 1mA | 38nC @ 10V | 1600pF @ 10V | 4V, 10V | ±20V |