TPCC8103(TE12L,QM)

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Toshiba Semiconductor and Storage

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

18A (Ta)

FET型 :

P-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

12 mOhm @ 9A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

2V @ 1mA

Vgs（最大值） :

±20V

供应商设备包 :

8-TSON Advance (3.3x3.3)

功耗（最大） :

700mW (Ta), 27W (Tc)

包装/箱 :

8-PowerVDFN

包装材料 :

Digi-Reel®

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

38nC @ 10V

漏极-源极电压（Vdss） :

30V

系列 :

U-MOSV

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

1600pF @ 10V

零件状态 :

Discontinued at Digi-Key

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

4V, 10V