- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- Vgs(最大值) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,086
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 29A 155A DPAK | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 4W (Ta), 115W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 29A (Ta), 155A (Tc) | 2.5 mOhm @ 50A, 10V | 2.1V @ 250µA | 78nC @ 10V | 5700pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,770
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3 | OptiMOS™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 88W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 80A (Tc) | 6.8 mOhm @ 80A, 10V | 2V @ 130µA | 80nC @ 10V | 5700pF @ 25V | - | - | ||
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获得报价 |
2,598
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3 | OptiMOS™ | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 88W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 80A (Tc) | 6.8 mOhm @ 80A, 10V | 2V @ 130µA | 80nC @ 10V | 5700pF @ 25V | - | - | ||
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获得报价 |
1,289
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3 | OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 88W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 80A (Tc) | 6.8 mOhm @ 80A, 10V | 2V @ 130µA | 80nC @ 10V | 5700pF @ 25V | 4.5V, 10V | +5V, -16V |