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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
9 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IXFT30N50
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$11.08
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2,841
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IXYS MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 HiPerFET™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268 360W (Tc) N-Channel - 500V 30A (Tc) 160 mOhm @ 15A, 10V 4V @ 4mA 300nC @ 10V 5700pF @ 25V 10V ±20V
IXTH16N10D2
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$8.90
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1,625
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IXYS MOSFET N-CH 100V 16A TO-247 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247 (IXTH) 830W (Tc) N-Channel Depletion Mode 100V 16A (Tc) 64 mOhm @ 8A, 0V - 225nC @ 5V 5700pF @ 25V 0V ±20V
IXTT16N10D2
单位
$8.37
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2,414
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IXYS MOSFET N-CH 100V 16A TO-268 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268 830W (Tc) N-Channel Depletion Mode 100V 16A (Tc) 64 mOhm @ 8A, 0V - 225nC @ 5V 5700pF @ 25V 0V ±20V
IPI80N06S2L05AKSA2
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3,553
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 OptiMOS™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA PG-TO262-3-1 300W (Tc) N-Channel - 55V 80A (Tc) 4.8 mOhm @ 80A, 10V 2V @ 250µA 230nC @ 10V 5700pF @ 25V 10V ±20V
IPB80P03P4L07ATMA1
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$0.66
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3,549
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3 OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 88W (Tc) P-Channel - 30V 80A (Tc) 6.9 mOhm @ 80A, 10V 2V @ 130µA 80nC @ 10V 5700pF @ 25V 4.5V, 10V +5V, -16V
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$0.73
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3,086
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 29A 155A DPAK - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 4W (Ta), 115W (Tc) N-Channel - 60V 29A (Ta), 155A (Tc) 2.5 mOhm @ 50A, 10V 2.1V @ 250µA 78nC @ 10V 5700pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
IPD80P03P4L07ATMA1
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1,770
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 88W (Tc) P-Channel - 30V 80A (Tc) 6.8 mOhm @ 80A, 10V 2V @ 130µA 80nC @ 10V 5700pF @ 25V - -
IPD80P03P4L07ATMA1
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$1.36
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2,598
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3 OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 88W (Tc) P-Channel - 30V 80A (Tc) 6.8 mOhm @ 80A, 10V 2V @ 130µA 80nC @ 10V 5700pF @ 25V - -
IPD80P03P4L07ATMA1
单位
$0.53
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RFQ
1,289
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3 OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 88W (Tc) P-Channel - 30V 80A (Tc) 6.8 mOhm @ 80A, 10V 2V @ 130µA 80nC @ 10V 5700pF @ 25V 4.5V, 10V +5V, -16V
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