- 系列 :
- 工作温度 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- Vgs（最大值） :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,000
有现货
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 1700V 3.7A | - | Active | Tube | SiCFET (Silicon Carbide) | 175°C (TJ) | Through Hole | TO-3PFM, SC-93-3 | TO-3PFM | 35W (Tc) | N-Channel | 1700V | 3.7A (Tc) | 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V | 4V @ 900µA | 14nC @ 18V | 184pF @ 800V | 18V | +22V, -6V | ||
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获得报价 |
3,677
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 900V TO220SIS | π-MOSVIII | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220SIS | 50W (Tc) | N-Channel | 900V | 9A (Ta) | 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V | 4V @ 900µA | 46nC @ 10V | 2000pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,775
有现货
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247 | - | Active | Tube | SiCFET (Silicon Carbide) | 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 | 85W (Tc) | N-Channel | 1200V | 10A (Tc) | 585 mOhm @ 3A, 18V | 4V @ 900µA | 27nC @ 18V | 463pF @ 800V | 18V | +22V, -6V | ||
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获得报价 |
3,303
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 900V TO-3PN | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P(N) | 250W (Tc) | N-Channel | 900V | 9A (Ta) | 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V | 4V @ 900µA | 46nC @ 10V | 2000pF @ 25V | 10V | ±30V |
粤ICP备2022113175号-1