- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,144
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 334A SMPD | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 24-PowerSMD, 21 Leads | 24-SMPD | 680W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 334A (Tc) | 2.6 mOhm @ 60A, 10V | 5V @ 8mA | 670nC @ 10V | 4700pF @ 10V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
737
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (IXFA) | 480W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 180A (Tc) | 6 mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 185nC @ 10V | 10500pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,322
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (IXFA) | 360W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 130A (Tc) | 9.1 mOhm @ 65A, 10V | 4.5V @ 1mA | 130nC @ 10V | 6600pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,297
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 320A TO-26 | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268 | 1000W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 320A (Tc) | 3.5 mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 250µA | 430nC @ 10V | 26000pF @ 25V | 10V | ±20V |