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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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$34.33
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RFQ
2,144
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IXYS MOSFET N-CH 100V 334A SMPD GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 24-PowerSMD, 21 Leads 24-SMPD 680W (Tc) N-Channel - 100V 334A (Tc) 2.6 mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 670nC @ 10V 4700pF @ 10V 10V ±20V
IXFA180N10T2
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$4.19
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RFQ
737
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IXYS MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (IXFA) 480W (Tc) N-Channel - 100V 180A (Tc) 6 mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 185nC @ 10V 10500pF @ 25V 10V ±20V
IXFP180N10T2
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$3.91
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RFQ
2,727
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IXYS MOSFET N-CH 100V 180A TO-220 GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 480W (Tc) N-Channel - 100V 180A (Tc) 6 mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 185nC @ 10V 10500pF @ 25V 10V ±20V
IXFA130N10T2
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$3.14
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RFQ
1,322
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IXYS MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (IXFA) 360W (Tc) N-Channel - 100V 130A (Tc) 9.1 mOhm @ 65A, 10V 4.5V @ 1mA 130nC @ 10V 6600pF @ 25V 10V ±20V
IXFT320N10T2
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$12.50
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RFQ
1,297
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IXYS MOSFET N-CH 100V 320A TO-26 GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268 1000W (Tc) N-Channel - 100V 320A (Tc) 3.5 mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 430nC @ 10V 26000pF @ 25V 10V ±20V
IXFP130N10T2
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$3.02
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RFQ
1,179
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IXYS MOSFET N-CH 100V 130A TO-220 GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 360W (Tc) N-Channel - 100V 130A (Tc) 9.1 mOhm @ 65A, 10V 4.5V @ 1mA 130nC @ 10V 6600pF @ 25V 10V ±20V
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