- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,948
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251AA | 25W (Tc) | N-Channel | 100V | 4.3A (Tc) | 540 mOhm @ 900mA, 10V | 4V @ 250µA | 8.3nC @ 10V | 180pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
881
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 50V 5.3A I-PAK | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251AA | 25W (Tc) | P-Channel | 50V | 5.3A (Tc) | 500 mOhm @ 2.8A, 10V | 4V @ 250µA | 9.1nC @ 10V | 240pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
617
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 8.2A I-PAK | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251AA | 25W (Tc) | N-Channel | 50V | 8.2A (Tc) | 200 mOhm @ 4.2A, 10V | 4V @ 250µA | 10nC @ 10V | 250pF @ 25V | 10V | ±20V |