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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	IRFU110		获得报价	PDF RFQ	3,948 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK	-	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	TO-251AA	25W (Tc)	N-Channel	100V	4.3A (Tc)	540 mOhm @ 900mA, 10V	4V @ 250µA	8.3nC @ 10V	180pF @ 25V	10V	±20V
	IRFU9010		获得报价	PDF RFQ	881 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 50V 5.3A I-PAK	-	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	TO-251AA	25W (Tc)	P-Channel	50V	5.3A (Tc)	500 mOhm @ 2.8A, 10V	4V @ 250µA	9.1nC @ 10V	240pF @ 25V	10V	±20V
	IRFU010		获得报价	PDF RFQ	617 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 50V 8.2A I-PAK	-	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	TO-251AA	25W (Tc)	N-Channel	50V	8.2A (Tc)	200 mOhm @ 4.2A, 10V	4V @ 250µA	10nC @ 10V	250pF @ 25V	10V	±20V
	IRFU9010PBF	单位 $1.59	获得报价	PDF RFQ	2,557 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 50V 5.3A I-PAK	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	TO-251AA	25W (Tc)	P-Channel	50V	5.3A (Tc)	500 mOhm @ 2.8A, 10V	4V @ 250µA	9.1nC @ 10V	240pF @ 25V	10V	±20V
	IRFU110PBF	单位 $1.00	获得报价	PDF RFQ	1,313 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	TO-251AA	25W (Tc)	N-Channel	100V	4.3A (Tc)	540 mOhm @ 900mA, 10V	4V @ 250µA	8.3nC @ 10V	180pF @ 25V	10V	±20V

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