- 系列 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,680
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 12V 4A UF6 | U-MOSIV | Discontinued at Digi-Key | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-SMD, Flat Leads | UF6 | 500mW (Ta) | P-Channel | - | 12V | 4A (Ta) | 54 mOhm @ 2A, 2.5V | 1V @ 1mA | - | 1700pF @ 10V | 1.5V, 2.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
3,803
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 4A ES6 | U-MOSVI | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 500mW (Ta) | P-Channel | - | 20V | 4A (Ta) | 40.7 mOhm @ 3A, 4.5V | 1V @ 1mA | 14.1nC @ 4.5V | 970pF @ 10V | 1.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
1,380
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 4A UFM | U-MOSIV | Not For New Designs | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 3-SMD, Flat Leads | UFM | 500mW (Ta) | P-Channel | - | 20V | 4A (Ta) | 38 mOhm @ 3A, 4V | 1V @ 1mA | 22.3nC @ 4V | 1484pF @ 10V | 1.5V, 4V | ±8V |