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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	SSM6J51TUTE85LF		获得报价	PDF RFQ	1,680 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 12V 4A UF6	U-MOSIV	Discontinued at Digi-Key	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	6-SMD, Flat Leads	UF6	500mW (Ta)	P-Channel	-	12V	4A (Ta)	54 mOhm @ 2A, 2.5V	1V @ 1mA	-	1700pF @ 10V	1.5V, 2.5V	±8V
	SSM6J212FE,LF		获得报价	PDF RFQ	3,803 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 4A ES6	U-MOSVI	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	SOT-563, SOT-666	ES6	500mW (Ta)	P-Channel	-	20V	4A (Ta)	40.7 mOhm @ 3A, 4.5V	1V @ 1mA	14.1nC @ 4.5V	970pF @ 10V	1.5V, 4.5V	±8V
	SSM3J331R,LF		获得报价	PDF RFQ	1,974 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P CH 20V 4A SOT-23F	U-MOSVI	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	SOT-23-3 Flat Leads	SOT-23F	1W (Ta)	P-Channel	-	20V	4A (Ta)	55 mOhm @ 3A, 4.5V	1V @ 1mA	10.4nC @ 4.5V	630pF @ 10V	1.5V, 4.5V	±8V
	SSM3J334R,LF		获得报价	PDF RFQ	1,956 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P CH 30V 4A SOT-23F	U-MOSVI	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	SOT-23-3 Flat Leads	SOT-23F	1W (Ta)	P-Channel	-	30V	4A (Ta)	71 mOhm @ 3A, 10V	2V @ 100µA	5.9nC @ 10V	280pF @ 15V	4V, 10V	±20V
	SSM3J120TU,LF		获得报价	PDF RFQ	1,380 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 4A UFM	U-MOSIV	Not For New Designs	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	3-SMD, Flat Leads	UFM	500mW (Ta)	P-Channel	-	20V	4A (Ta)	38 mOhm @ 3A, 4V	1V @ 1mA	22.3nC @ 4V	1484pF @ 10V	1.5V, 4V	±8V

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