- 系列 :
- 包装/箱 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,839
有现货
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 8V 9DSBGA | NexFET™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 9-UFBGA, DSBGA | 9-DSBGA | 1.7W (Ta) | P-Channel | - | 8V | 5A (Ta) | 9.9 mOhm @ 2A, 4.5V | 950mV @ 250µA | 24.6nC @ 4.5V | 1130pF @ 4V | 2.5V, 4.5V | -6V | |||
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获得报价 |
1,064
有现货
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Texas Instruments | 12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET | FemtoFET™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 3-XFDFN | 3-PICOSTAR | 500mW (Ta) | P-Channel | - | 12V | 5.4A (Ta) | 35 mOhm @ 1A, 4.5V | 950mV @ 250µA | 4.2nC @ 4.5V | 628pF @ 6V | 1.5V, 4.5V | -6V | |||
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获得报价 |
1,063
有现货
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V | FemtoFET™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 3-XFDFN | 3-PICOSTAR | 500mW (Ta) | P-Channel | - | 12V | 5.4A (Ta) | 35 mOhm @ 1A, 4.5V | 950mV @ 250µA | 4.2nC @ 4.5V | 628pF @ 6V | 1.5V, 4.5V | -6V |