CSD23285F5T

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Texas Instruments

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

5.4A (Ta)

FET型 :

P-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

35 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs（th）（最大）@Id :

950mV @ 250µA

Vgs（最大值） :

-6V

供应商设备包 :

3-PICOSTAR

功耗（最大） :

500mW (Ta)

包装/箱 :

3-XFDFN

包装材料 :

Digi-Reel®

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-55°C ~ 150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

4.2nC @ 4.5V

漏极-源极电压（Vdss） :

12V

系列 :

FemtoFET™

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

628pF @ 6V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

1.5V, 4.5V