SIRC18DP-T1-GE3

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Vishay Siliconix

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

60A (Tc)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

Schottky Diode (Body)

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

1.1 mOhm @ 15A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

2.4V @ 250µA

Vgs（最大值） :

+20V, -16V

供应商设备包 :

PowerPAK® SO-8

功耗（最大） :

54.3W (Tc)

包装/箱 :

PowerPAK® SO-8

包装材料 :

Cut Tape (CT)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-55°C ~ 150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

111nC @ 10V

漏极-源极电压（Vdss） :

30V

系列 :

TrenchFET® Gen IV

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

5060pF @ 15V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

4.5V, 10V