SIR680DP-T1-RE3

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Vishay Siliconix

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

100A (Tc)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

2.9 mOhm @ 20A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

3.4V @ 250µA

Vgs（最大值） :

±20V

供应商设备包 :

PowerPAK® SO-8

功耗（最大） :

104W (Tc)

包装/箱 :

PowerPAK® SO-8

包装材料 :

Tape & Reel (TR)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-55°C ~ 150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

81nC @ 7.5V

漏极-源极电压（Vdss） :

80V

系列 :

TrenchFET® Gen IV

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

5150pF @ 40V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

7.5V, 10V