SI8819EDB-T2-E1

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Vishay Siliconix

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

2.9A (Ta)

FET型 :

P-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

80 mOhm @ 1.5A, 3.7V

Vgs（th）（最大）@Id :

900mV @ 250µA

Vgs（最大值） :

±8V

供应商设备包 :

4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)

功耗（最大） :

900mW (Ta)

包装/箱 :

4-XFBGA

包装材料 :

-

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-55°C ~ 150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

17nC @ 8V

漏极-源极电压（Vdss） :

12V

系列 :

-

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

650pF @ 6V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

1.5V, 3.7V