TPN3300ANH,LQ

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Toshiba Semiconductor and Storage

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

9.4A (Tc)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

33 mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

4V @ 100µA

Vgs（最大值） :

±20V

供应商设备包 :

8-TSON Advance (3.3x3.3)

功耗（最大） :

700mW (Ta), 27W (Tc)

包装/箱 :

8-PowerVDFN

包装材料 :

Cut Tape (CT)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

11nC @ 10V

漏极-源极电压（Vdss） :

100V

系列 :

U-MOSVIII-H

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

880pF @ 50V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

10V