TPC8062-H,LQ(CM

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Toshiba Semiconductor and Storage

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

18A (Ta)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

5.8 mOhm @ 9A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

2.3V @ 300µA

Vgs（最大值） :

±20V

供应商设备包 :

8-SOP

功耗（最大） :

1W (Ta)

包装/箱 :

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

包装材料 :

Tape & Reel (TR)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

34nC @ 10V

漏极-源极电压（Vdss） :

30V

系列 :

U-MOSVII-H

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

2900pF @ 10V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

4.5V, 10V