TK18E10K3,S1X(S

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Toshiba Semiconductor and Storage

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

18A (Ta)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

42 mOhm @ 9A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

-

Vgs（最大值） :

-

供应商设备包 :

TO-220-3

功耗（最大） :

-

包装/箱 :

TO-220-3

包装材料 :

Tube

安装类型 :

Through Hole

工作温度 :

150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

33nC @ 10V

漏极-源极电压（Vdss） :

100V

系列 :

U-MOSIV

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

-

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

-