TK100L60W,VQ

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Toshiba Semiconductor and Storage

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

100A (Ta)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

Super Junction

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

18 mOhm @ 50A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

3.7V @ 5mA

Vgs（最大值） :

±30V

供应商设备包 :

TO-3P(L)

功耗（最大） :

797W (Tc)

包装/箱 :

TO-3PL

包装材料 :

Tube

安装类型 :

Through Hole

工作温度 :

150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

360nC @ 10V

漏极-源极电压（Vdss） :

600V

系列 :

DTMOSIV

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

15000pF @ 30V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

10V