SSM6K514NU,LF

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Toshiba Semiconductor and Storage

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

12A (Ta)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

11.6 mOhm @ 4A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

2.4V @ 100µA

Vgs（最大值） :

±20V

供应商设备包 :

6-UDFNB (2x2)

功耗（最大） :

2.5W (Ta)

包装/箱 :

6-WDFN Exposed Pad

包装材料 :

Digi-Reel®

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

150°C

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

7.5nC @ 4.5V

漏极-源极电压（Vdss） :

40V

系列 :

U-MOSIX-H

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

1110pF @ 20V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

4.5V, 10V