SSM3K35MFV,L3F

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Toshiba Semiconductor and Storage

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

180mA (Ta)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

3 Ohm @ 50mA, 4V

Vgs（th）（最大）@Id :

1V @ 1mA

Vgs（最大值） :

±10V

供应商设备包 :

VESM

功耗（最大） :

150mW (Ta)

包装/箱 :

SOT-723

包装材料 :

-

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

150°C

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

-

漏极-源极电压（Vdss） :

20V

系列 :

-

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

9.5pF @ 3V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

1.2V, 4V