HN4K03JUTE85LF

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Toshiba Semiconductor and Storage

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

100mA (Ta)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

12 Ohm @ 10mA, 2.5V

Vgs（th）（最大）@Id :

-

Vgs（最大值） :

10V

供应商设备包 :

USV

功耗（最大） :

200mW (Ta)

包装/箱 :

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

包装材料 :

Tape & Reel (TR)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

-

漏极-源极电压（Vdss） :

20V

系列 :

-

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

8.5pF @ 3V

零件状态 :

Obsolete

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

2.5V