CSD83325L

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 :

Texas Instruments

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

-

FET型 :

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET特性 :

Standard

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

-

Vgs（th）（最大）@Id :

1.25V @ 250µA

供应商设备包 :

6-PicoStar

包装/箱 :

6-XFBGA

包装材料 :

Tape & Reel (TR)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-55°C ~ 150°C (TJ)

最大功率 :

2.3W

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

10.9nC @ 4.5V

漏极-源极电压（Vdss） :

12V

系列 :

NexFET™

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

-

零件状态 :

Active