CSD19536KTT

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Texas Instruments

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

200A (Ta)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

2.4 mOhm @ 100A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

3.2V @ 250µA

Vgs（最大值） :

±20V

供应商设备包 :

DDPAK/TO-263-3

功耗（最大） :

375W (Tc)

包装/箱 :

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

包装材料 :

Digi-Reel®

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-55°C ~ 175°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

153nC @ 10V

漏极-源极电压（Vdss） :

100V

系列 :

NexFET™

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

12000pF @ 50V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

6V, 10V