CSD18512Q5BT

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Texas Instruments

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

211A (Tc)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

1.6 mOhm @ 30A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

2.2V @ 250µA

Vgs（最大值） :

±20V

供应商设备包 :

8-VSON-CLIP (5x6)

功耗（最大） :

139W (Tc)

包装/箱 :

8-PowerTDFN

包装材料 :

Tape & Reel (TR)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-55°C ~ 150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

98nC @ 10V

漏极-源极电压（Vdss） :

40V

系列 :

NexFET™

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

7120pF @ 20V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

4.5V, 10V