CSD16411Q3

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Texas Instruments

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

14A (Ta), 56A (Tc)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

10 mOhm @ 10A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

2.3V @ 250µA

Vgs（最大值） :

+16V, -12V

供应商设备包 :

8-VSON (3.3x3.3)

功耗（最大） :

2.7W (Ta)

包装/箱 :

8-PowerVDFN

包装材料 :

Cut Tape (CT)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-55°C ~ 150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

3.8nC @ 4.5V

漏极-源极电压（Vdss） :

25V

系列 :

NexFET™

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

570pF @ 12.5V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

4.5V, 10V