TSM60NB190CM2 RNG

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Taiwan Semiconductor Corporation

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

18A (Tc)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

190 mOhm @ 6A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

4V @ 250µA

Vgs（最大值） :

±30V

供应商设备包 :

TO-263 (D²Pak)

功耗（最大） :

150.6W (Tc)

包装/箱 :

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

包装材料 :

Tape & Reel (TR)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-55°C ~ 150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

31nC @ 10V

漏极-源极电压（Vdss） :

600V

系列 :

-

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

1273pF @ 100V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

10V