STL8P2UH7

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

STMicroelectronics

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

8A (Tc)

FET型 :

P-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

22.5 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs（th）（最大）@Id :

1V @ 250µA

Vgs（最大值） :

±8V

供应商设备包 :

PowerFlat™ (2x2)

功耗（最大） :

2.4W (Tc)

包装/箱 :

6-PowerWDFN

包装材料 :

Cut Tape (CT)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

22nC @ 4.5V

漏极-源极电压（Vdss） :

20V

系列 :

DeepGATE™, STripFET™ VII

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

2390pF @ 16V

零件状态 :

Obsolete

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

1.5V, 4.5V