SH8KA2GZETB

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 :

Rohm Semiconductor

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

8A

FET型 :

2 N-Channel (Dual)

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

28 mOhm @ 8A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

2.5V @ 1mA

供应商设备包 :

8-SOP

包装/箱 :

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

包装材料 :

Cut Tape (CT)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

150°C (TJ)

最大功率 :

2.8W

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

8nC @ 10V

漏极-源极电压（Vdss） :

30V

系列 :

-

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

330pF @ 15V

零件状态 :

Active