RS1E200GNTB

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Rohm Semiconductor

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

20A (Ta)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

4.6 mOhm @ 20A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

2.5V @ 1mA

Vgs（最大值） :

±20V

供应商设备包 :

8-HSOP

功耗（最大） :

3W (Ta), 25.1W (Tc)

包装/箱 :

8-PowerTDFN

包装材料 :

Cut Tape (CT)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

16.8nC @ 10V

漏极-源极电压（Vdss） :

30V

系列 :

-

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

1080pF @ 15V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

4.5V, 10V