NTMD6P02R2G

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 :

ON Semiconductor

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

4.8A

FET型 :

2 P-Channel (Dual)

FET特性 :

Logic Level Gate

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

33 mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs（th）（最大）@Id :

1.2V @ 250µA

供应商设备包 :

8-SOIC

包装/箱 :

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

包装材料 :

Tape & Reel (TR)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-55°C ~ 150°C (TJ)

最大功率 :

750mW

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

35nC @ 4.5V

漏极-源极电压（Vdss） :

20V

系列 :

-

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

1700pF @ 16V

零件状态 :

Active