NTJS3151PT2

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

ON Semiconductor

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

2.7A (Ta)

FET型 :

P-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

60 mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs（th）（最大）@Id :

400mV @ 100µA

Vgs（最大值） :

±12V

供应商设备包 :

SC-88/SC70-6/SOT-363

功耗（最大） :

625mW (Ta)

包装/箱 :

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

包装材料 :

Tape & Reel (TR)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-55°C ~ 150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

8.6nC @ 4.5V

漏极-源极电压（Vdss） :

12V

系列 :

-

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

850pF @ 12V

零件状态 :

Obsolete

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

1.8V, 4.5V