FQN1N50CBU

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

ON Semiconductor

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

380mA (Tc)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

6 Ohm @ 190mA, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

4V @ 250µA

Vgs（最大值） :

±30V

供应商设备包 :

TO-92-3

功耗（最大） :

890mW (Ta), 2.08W (Tc)

包装/箱 :

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

包装材料 :

Bulk

安装类型 :

Through Hole

工作温度 :

-55°C ~ 150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

6.4nC @ 10V

漏极-源极电压（Vdss） :

500V

系列 :

QFET®

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

195pF @ 25V

零件状态 :

Obsolete

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

10V