FGD3N60UNDF

产品分类 :

晶体管 - IGBT - 单

制造商 :

ON Semiconductor

25°C时的Td（开/关） :

5.5ns/22ns

IGBT型 :

NPT

Vge，Ic时的Vce（开）（最大值） :

2.52V @ 15V, 3A

供应商设备包 :

TO-252, (D-Pak)

包装/箱 :

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

包装材料 :

Tape & Reel (TR)

反向恢复时间（trr） :

21ns

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-55°C ~ 150°C (TJ)

开关能量 :

52µJ (on), 30µJ (off)

最大功率 :

60W

电压-集电极-发射极击穿（最大） :

600V

电流收集器脉冲（Icm） :

9A

系列 :

-

试验条件 :

400V, 3A, 10 Ohm, 15V

输入类型 :

Standard

门电荷 :

1.6nC

集电器（Ic）（最大值） :

6A

零件状态 :

Active