FDZ3N513ZT

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

ON Semiconductor

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

1.1A (Ta)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

Schottky Diode (Body)

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

462 mOhm @ 300mA, 4.5V

Vgs（th）（最大）@Id :

1.5V @ 250µA

Vgs（最大值） :

+5.5V, -0.3V

供应商设备包 :

4-WLCSP (1x1)

功耗（最大） :

1W (Ta)

包装/箱 :

4-UFBGA, WLCSP

包装材料 :

Tape & Reel (TR)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-55°C ~ 125°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

1nC @ 4.5V

漏极-源极电压（Vdss） :

30V

系列 :

-

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

85pF @ 15V

零件状态 :

Obsolete

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

3.2V, 4.5V