PMV117EN,215

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

NXP USA Inc.

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

2.5A (Tc)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

117 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

2V @ 1mA

Vgs（最大值） :

±20V

供应商设备包 :

TO-236AB (SOT23)

功耗（最大） :

830mW (Tc)

包装/箱 :

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

包装材料 :

Cut Tape (CT)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-65°C ~ 150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

4.6nC @ 10V

漏极-源极电压（Vdss） :

30V

系列 :

TrenchMOS™

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

147pF @ 10V

零件状态 :

Obsolete

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

4.5V, 10V