JANSR2N7269

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Microsemi Corporation

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

26A (Tc)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

110 mOhm @ 26A, 12V

Vgs（th）（最大）@Id :

4V @ 1mA

Vgs（最大值） :

±20V

供应商设备包 :

TO-254AA

功耗（最大） :

150W (Tc)

包装/箱 :

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

包装材料 :

-

安装类型 :

Through Hole

工作温度 :

-55°C ~ 150°C

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

170nC @ 12V

漏极-源极电压（Vdss） :

200V

系列 :

Military, MIL-PRF-19500/603

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

-

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

12V