JAN2N6782

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Microsemi Corporation

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

3.5A (Tc)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

610 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

4V @ 250µA

Vgs（最大值） :

±20V

供应商设备包 :

TO-39

功耗（最大） :

800mW (Ta), 15W (Tc)

包装/箱 :

TO-205AF Metal Can

包装材料 :

Bulk

安装类型 :

Through Hole

工作温度 :

-55°C ~ 150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

8.1nC @ 10V

漏极-源极电压（Vdss） :

100V

系列 :

Military, MIL-PRF-19500/556

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

-

零件状态 :

Obsolete

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

10V